RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
42
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
35
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3221
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link