RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
42
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
35
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3221
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link