RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
42
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
35
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2768
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link