RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
42
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
36
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2247
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link