RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
64
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
64
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2205
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston Kingston2GB800 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link