RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
61
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.7
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
61
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
8.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
1813
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link