RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
52
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
52
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2306
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link