RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
56
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
56
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2455
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link