RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
42
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
19
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3435
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link