RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
75
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
75
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
1763
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link