RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
50
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
50
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2064
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link