RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2565
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link