RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
25
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2489
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link