RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
42
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
23
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3086
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link