RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2226
2987
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link