RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
28
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2226
2980
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link