RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB vs Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
72
Wokół strony -213% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,323.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,616.5
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,323.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
329
2993
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link