RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB vs Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Wynik ogólny
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
72
Wokół strony -140% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,323.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,616.5
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,323.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
329
2807
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link