RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB vs Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Wynik ogólny
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
38
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2451
3391
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link