RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
25
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2451
2583
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Corsair CMY16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link