RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
47
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
36
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2055
2907
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link