RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Porównaj
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB vs Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Wynik ogólny
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
38
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
20
38
Prędkość odczytu, GB/s
19.7
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
15.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3404
2174
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KF556C40-16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M471B1G73DM0-YK0 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link