RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
9.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
35
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
13.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
2383
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston 9905428-105.A00G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link