RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
38
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
2687
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link