Porównanie pamięci RAM Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Wynik ogólny

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

31 35

Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

21.4 13.7

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

16.2 9.6

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 12800

Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2312 3809

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns