RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
3491
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link