RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
45
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
6.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
45
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
6.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
1499
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link