RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Kingston KYXC0V-MID 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
36
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
2903
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link