RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
35
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
3036
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link