RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB vs G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
42
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
21
Prędkość odczytu, GB/s
13.1
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2307
3507
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston 99U5403-160.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link