RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
41
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2356
2616
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link