RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
48
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
48
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2356
2196
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link