RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
41
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2356
2382
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link