RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
52
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
52
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2356
2236
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link