RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
39
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
33
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
3089
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link