RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
39
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
31
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
3318
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link