RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
21.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
39
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
26
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
3755
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link