RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
79
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
79
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
1651
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link