RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
79
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
79
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
1651
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link