RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
39
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
22
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
3166
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link