RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
77
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.5
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
77
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
1440
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link