RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
46
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
46
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
2368
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link