RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
59
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9
5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
59
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
9.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
2128
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link