RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
21.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
39
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
36
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
21.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
3610
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link