RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Porównaj
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
63
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.5
5.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
29
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.0
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
3936
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link