RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Porównaj
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
63
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
5.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
28
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.0
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
3437
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link