RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Porównaj
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
63
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
5.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
30
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
3312
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link