RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Porównaj
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
63
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
5.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
33
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.0
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
3574
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link