RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Porównaj
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
63
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
5.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
23
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.0
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
4015
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link