RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Porównaj
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
63
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.8
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
5.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
34
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.0
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
2364
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CMA 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link