RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Porównaj
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs AMD R7416G2133U2S 16GB
Wynik ogólny
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Wynik ogólny
AMD R7416G2133U2S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R7416G2133U2S 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
78
79
Wokół strony -1% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.7
1,468.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
79
78
Prędkość odczytu, GB/s
3,061.8
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,468.1
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
422
1594
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link