RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Porównaj
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Wynik ogólny
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
79
Wokół strony -276% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,468.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
79
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,061.8
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,468.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
422
3512
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link